在3nm这个段位上，三星和台积电展开了PK，台积电的命名为N3，号称5nm之后的一个全新工艺节点，可将密度增加70％，同等功耗下性能提升10-15％，同等性能下功耗降低25-30％。三而星的命名为3GAE，首次引入GAA全环绕栅极晶体管技术(初期版本)。
据半导体专业人士分析，台积电N3工艺目前的良品率低则60-70％，高则70-80％，与5nm工艺初期的水平类似。
对于刚投入量产的先进工艺来说，这已经是非常不错的良率水平，具备了大规模量产、供货的条件。
作为竞争对手，三星3GAE的初期良率要低得多，估计在10-20％左右，而且一直没有明显改善，芯片质量也参差不齐。当然，以上数字都是业界估测，台积电、三星都不可能公布具体数字，最终谁能笑到最后我们拭目以待。